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Data Sheet
4V Drive Nch MOSFET
RSD050N06
? Structure
? Dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel MOSFET
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
? Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
0.75
0.65
3) Parallel use is easy.
0.9
(1)
2.3
(2)
(3)
2.3
0.5
1.0
? Applications
Switching
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
CPT3
? 1
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
2500
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
? 2
? Absolute maximum ratings (T a =25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
60
? 20
Unit
V
V
* 1 ESD Protection Diode
* 2 Body Diode
(1)
(2)
(3)
Drain current
Source current
Continuous
Pulsed
Continuous
I D
I DP *1
I S
? 5.0
? 15
5.0
A
A
A
(Body Diode)
Power dissipation
Pulsed
I SP
P D
*1
*2
15
15
A
W
Channel temperature
Range of storage temperature
T ch
T stg
150
? 55 to +150
°C
° C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 T c =25°C
? Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
Symbol
R th (ch-c) *
Limits
8.33
Unit
° C / W
* T c =25 ? C
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
2014.02 - Rev.B
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